- Описание
-
Описание:
MBT3904DW1T1G | onsemi | Сдвоенный NPN биполярный транзистор
Технические характеристики: MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G представляет собой сдвоенный NPN биполярный транзистор общего назначения производства onsemi. Устройство содержит два независимых транзистора 2N3904 в одном компактном корпусе SOT-363 и предназначено для применения в схемах усиления сигналов, коммутации, управления нагрузками и цифровой логике. Благодаря малым размерам корпуса и низкому энергопотреблению транзистор широко используется в портативной электронике, промышленной автоматике и телекоммуникационном оборудовании.
Производитель: onsemi
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
MBT3904DW1T1G
Технические данные:
Параметр Значение Артикул MBT3904DW1T1G Производитель onsemi Тип изделия Сдвоенный NPN биполярный транзистор Конфигурация 2 независимых NPN транзистора Тип монтажа Поверхностный монтаж (SMD) Корпус SOT-363 (SC-88) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 40 В Максимальный ток коллектора (IC) 200 мА на транзистор Рассеиваемая мощность 200 мВт Коэффициент усиления по току (hFE) 100–300 Рабочая температура перехода от -55°C до +150°C Соответствие стандартам RoHS Применение:
- Схемы коммутации сигналов
- Усилители малой мощности
- Интерфейсные схемы
- Цифровая логика
- Промышленная электроника
- Телекоммуникационное оборудование
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
