IXTA1N170DHV | IXYS | Полевой транзистор

Описание:

IXTA1N170DHV | IXYS | N-канальный полевой транзистор (MOSFET) высокого напряжения

Технические характеристики: IXTA1N170DHV

IXYS IXTA1N170DHV — это N-канальный MOSFET транзистор высокого напряжения, предназначенный для работы в импульсных источниках питания, промышленных инверторах, системах управления двигателями и силовой электронике.

Транзистор обеспечивает низкое сопротивление канала, высокую скорость переключения и надежную работу при больших токах и напряжениях. Корпус рассчитан на эффективное рассеивание тепла.

Производитель: IXYS

Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.

Артикул по производителю:

IXTA1N170DHV

Технические данные:
Тип устройства: N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1700 V
Максимальный ток стока (Id): 1 A (импульсный)
Rds(on) сопротивление: 1.8 Ω
Тип корпуса: TO-247
Температурный диапазон: −55…+150 °C
Применение: импульсные источники питания, инверторы, системы управления двигателями, силовая электроника, преобразователи напряжения

Применение:
Промышленные источники питания, управление электродвигателями, преобразовательные устройства, силовая электроника.