- Описание
-
Описание:
IRF3205PBF | Infineon Technologies | N-канальный MOSFET 55 V 110 A (TO-220AB)
Технические характеристики: IRF3205PBF
Infineon IRF3205PBF — это мощный N-канальный MOSFET (HEXFET), предназначенный для силовых ключевых схем, импульсных преобразователей и управления нагрузками высокой мощности. Отличается очень низким сопротивлением канала в открытом состоянии и высокой токовой нагрузочной способностью.
Производитель: Infineon Technologies
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
IRF3205PBF
Технические данные:
Параметр Значение Артикул IRF3205PBF Производитель Infineon Technologies Тип устройства N-канальный MOSFET Технология HEXFET Максимальное напряжение сток-исток 55 V Максимальный ток стока 110 A Сопротивление канала (Rds(on)) ~8 mΩ Напряжение затвор-исток ±20 V Рассеиваемая мощность до 200 W Корпус TO-220AB Монтаж Through-hole Рабочая температура -55…+175 °C Применение:
Импульсные источники питания; DC-DC преобразователи; управление двигателями; силовые ключи; автомобильная электроника; инверторы.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
