- Описание
-
Описание:
H5AG46DXNDX117N | SK hynix | Память DDR4 SDRAM 16 Гбит
Технические характеристики: H5AG46DXNDX117N
Высокопроизводительная микросхема оперативной памяти H5AG46DXNDX117N производства SK hynix представляет собой DDR4 SDRAM память объемом 16 Гбит (2 ГБ) с организацией 1G × 16 бит. Устройство обеспечивает скорость передачи данных до 3200 MT/s, работает от напряжения питания 1,2 В и предназначено для использования в промышленных, вычислительных и встраиваемых системах. Микросхема выполнена в корпусе FBGA-96 и рассчитана на работу в расширенном температурном диапазоне.
Производитель: SK hynix
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
H5AG46DXNDX117N
Технические данные:
Параметр Значение Тип памяти DDR4 SDRAM Объем памяти 16 Гбит (2 ГБ) Организация памяти 1G × 16 бит Интерфейс DDR4 SDRAM Скорость передачи данных До 3200 MT/s Тактовая частота До 1600 МГц Напряжение питания 1,2 В Диапазон питания 1,14…1,26 В Ширина шины данных 16 бит Архитектура 8n Prefetch Количество банков 16 (4 Bank Groups) Время доступа 13,75 нс Корпус FBGA-96 (8 × 13 мм) Монтаж SMD Рабочая температура 0…+95 °C Тип памяти Volatile DRAM Упаковка Tray Соответствие RoHS Применение:
- Промышленные компьютеры
- Встраиваемые вычислительные системы
- Серверное и сетевое оборудование
- Системы на базе ARM и FPGA
- Телекоммуникационные устройства
- Автоматизированные контроллеры
- Высокопроизводительные вычислительные платформы
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
