- Описание
-
Описание:
CY7C2165KV18-550BZC | Infineon Technologies | Высокоскоростная синхронная статическая память QDR-II+ SRAM 18 Мбит
Технические характеристики: CY7C2165KV18-550BZC
CY7C2165KV18-550BZC — высокопроизводительная микросхема синхронной статической памяти (QDR-II+ SRAM) производства Infineon Technologies, предназначенная для систем, требующих сверхбыстрого обмена данными и одновременного выполнения операций чтения и записи.
Устройство обеспечивает организацию памяти 1M × 18 бит (18 Мбит) и поддерживает архитектуру Quad Data Rate II Plus (QDR-II+), позволяющую выполнять независимые операции чтения и записи через отдельные порты данных.
Микросхема рассчитана на работу с тактовой частотой до 550 МГц и обеспечивает высокую пропускную способность, необходимую для телекоммуникационного оборудования, сетевых коммутаторов, маршрутизаторов и высокоскоростных вычислительных систем.
Корпус BGA обеспечивает компактное размещение на печатной плате и хорошие электрические характеристики при работе на высоких частотах.
Производитель: Infineon Technologies
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
CY7C2165KV18-550BZC
Технические данные:
Параметр Значение Производитель Infineon Technologies Артикул CY7C2165KV18-550BZC Тип устройства Синхронная статическая память (SRAM) Архитектура QDR-II+ SRAM Объём памяти 18 Мбит Организация памяти 1M × 18 бит Максимальная частота 550 МГц Напряжение питания 1.8 V Корпус BGA Тип интерфейса Quad Data Rate II Plus Рабочая температура Промышленный диапазон Применение:
Телекоммуникационное оборудование, сетевые коммутаторы и маршрутизаторы, высокоскоростная обработка данных, FPGA-системы, сетевые процессоры, промышленная электроника и вычислительные платформы.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

