SEMiX603GB12E4p | SEMIKRON | IGBT-модуль

Описание:

SEMiX603GB12E4p | SEMIKRON | IGBT-модуль полумостовой 1200 В 600 А

Технические характеристики: SEMiX603GB12E4p

IGBT-модуль SEMIKRON SEMiX603GB12E4p серии SEMiX® 3p предназначен для применения в высокомощных преобразователях энергии, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (UPS), инверторах для возобновляемых источников энергии, сварочном оборудовании и промышленных системах электропривода. Модуль выполнен по технологии Trench IGBT, имеет полумостовую топологию, высокую перегрузочную способность и керамическую изолированную подложку с оптимизированным теплоотводом.

Производитель: SEMIKRON

Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.

Артикул по производителю:

SEMiX603GB12E4p

Основные технические характеристики:

• Тип изделия: IGBT-модуль
• Серия: SEMiX® 3p
• Топология: полумост (Half-Bridge)
• Технология: Trench IGBT 4
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC): 600 А
• Импульсный ток коллектора (ICM): до 1800 А
• Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В
• Рабочая температура кристалла: от -40 до +175 °C
• Корпус: SEMiX® 3p
• Размеры корпуса: 150 × 62 × 17 мм
• Вспомогательные выводы: Press-fit
• Изоляционная подложка: керамическая
• Индуктивность коммутационного контура: около 20 нГн
• Масса: около 350 г
• Типовые области применения: частотные преобразователи, UPS, инверторы солнечной и ветровой энергетики, промышленные электроприводы.