- Описание
-
Описание:
APT95GR65B2 | Microchip | Биполярный транзистор
Технические характеристики: APT95GR65B2
IGBT NPT 650 V 208 A 892 W Through Hole T-MAX™ [B2]
Производитель: Microchip
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
APT95GR65B2
Технические данные:
CategoryDiscrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTsSwitching Energy3.12mJ (on), 2.55mJ (off)ManufacturerMicrochip TechnologyInput TypeStandardPackagingTubeGate Charge420 nCPart StatusActiveTd (on/off) @ 25°C29ns/226nsIGBT TypeNPTTest Condition433V, 95A, 4.3Ohm, 15VVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 VOperating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)Current - Collector (Ic) (Max)208 AMounting TypeThrough HoleCurrent - Collector Pulsed (Icm)400 APackage / CaseTO-247-3Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 95ASupplier Device PackageT-MAX™ [B2]Power - Max892 WBase Product NumberAPT95GR65 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

