Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 руб.
Производитель: Comchip Technology
Количество на складе: 0
ADTC123JE-HF | Comchip Technology | AUTOMOTIVE TRANS DIGITAL NPN 50V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 руб.
Производитель: Comchip Technology
Количество на складе: 0
ADTA123JE-HF | Comchip Technology | AUTOMOTIVE TRANS DIGITAL PNP 50V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 руб.
Производитель: Comchip Technology
Количество на складе: 0
ADTC143ZE-HF | Comchip Technology | AUTOMOTIVE TRANS DIGITAL NPN 50V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
7 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
ADTC114ELP4WQ-7 | Diodes Incorporated | PREBIAS TRANSISTOR U-DFN1006-3 T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
7 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
ADTC114YLP4WQ-7 | Diodes Incorporated | PREBIAS TRANSISTOR U-DFN1006-3 T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 873 руб.
Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Количество на складе: 0
VS-ENX030Y60U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IGBT MODULE 600V 34A 94W
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
23 672 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L500R12N3H7B66BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 510A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
24 111 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF800R12KE7DS8HPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 800A AG-62MMHB
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
31 163 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L500R12N3H7FB66BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 510A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 006 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FP15R12W1T4QBPSA1 | Infineon Technologies | FP15R12W1T4QBPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 113 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F43L100R07W2S5B40BPSA1 | Infineon Technologies | F43L100R07W2S5B40BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
7 894 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
DF300R07W1H5FB20BPSA1 | Infineon Technologies | DF300R07W1H5FB20BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
9 627 руб.
Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Количество на складе: 0
VS-GT51YF120NT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | POWER MODULE, IGBT FOURPACK, 50
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
11 976 руб.
Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Количество на складе: 0
VS-GT76YF120NT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | POWER MODULE, IGBT FOURPACK MODU
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
19 493 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF600R12ME7DB90BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 600A MOD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
22 094 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF750R12ME7DB90BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 75OA MOD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
23 180 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF900R12ME7B90BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R12ME7B90BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
26 807 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L420R12D3H7B78BPSA1 | Infineon Technologies | F3L420R12D3H7B78BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
39 977 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS1000R08A7P3BHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
41 348 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS410R12A7P1BHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 300A HDG2XT-7611
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
54 352 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS1150R08A8P3CHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
61 356 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS980R08A7F32BHPSA1 | Infineon Technologies | HYBRIDPACK DRIVE G2 WITH SI/SIC
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
83 673 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF1400R17T2P8BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MOD 1700V 1800A MOD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
137 912 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF1400R23T2E7B5BPSA1 | Infineon Technologies | FF1400R23T2E7B5BPSA1
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов