Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
136 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60BM160IT | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 160MOHM TO-220CFM-T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
137 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60BM160R | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 160MOHM TO-262
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
137 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMT10H003SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
138 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRS5802DPW-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
138 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ114EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
139 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SA180DP | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 180MOHM TO-220
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
140 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPLT60R160CM8XTMA1 | Infineon Technologies | IPLT60R160CM8XTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
140 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SA180DIT | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 180MOHM TO-220CFM-T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
141 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC070N10NS5SCATMA2 | Infineon Technologies | BSC070N10NS5SCATMA2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
141 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ142ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
142 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL190DIN | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 190MOHM TO-220CFM-NL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
142 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SC180DIT | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 180MOHM TO-220CFM-T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
142 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SC200DDT8 | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 200MOHM PDFN 8X8_HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
142 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHD180N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 600V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
142 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHD180N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 600V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
143 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUCN04S7N007TATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
143 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SA180DR | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 180MOHM TO-262
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
144 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL210AFI | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 210MOHM TO-220CFM
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
146 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SA180DIN | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 180MOHM TO-220CFM-NL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
147 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SA210DDT8 | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 210MOHM PDFN 8X8_HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
147 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHB17N80AE-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 800V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
147 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHB17N80AE-T5-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 800V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
147 руб.
Производитель: Goford Semiconductor
Количество на складе: 0
G040P02D5 | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH -20V 90A 8-POWERTDFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
148 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH10H003SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов