Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 964 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT10050LVRPB | Microchip Technology | MOSFET MOS 5 1000 V 500 MOHM TO-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 968 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMDQ75R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | AUTOMOTIVE_SICMOS
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 282 руб.
Производитель: IXYS
Количество на складе: 0
IXTX400N20X4 | IXYS | DISCRETE MOSFET 400A 200V X4 PLU
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 285 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT100N60BC7 | Microchip Technology | MOSFET FAST SUPERJUNCTION 600 V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 349 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMZA75R011M2HXKSA1 | Infineon Technologies | AIMZA75R011M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 624 руб.
Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Количество на складе: 0
VS-FC50LA65 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | POWER MODULE, LOW SIDE CHOPPER -
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 182 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMZA75R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | IMZA75R007M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 265 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMDQ75R007M2HXTMA1 | Infineon Technologies | AIMDQ75R007M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 681 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT1001R1BNPB | Microchip Technology | MOSFET MOS 4 1000 V 1.1 OHM TO-2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 681 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT1001RBNPB | Microchip Technology | MOSFET MOS 4 1000 V 1 OHM TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 767 руб.
Производитель: IXYS
Количество на складе: 0
IXTB500N20X4 | IXYS | DISCRETE MOSFET 500A 200V X4 PLU
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 786 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APL502LPB | Microchip Technology | MOSFET LINEAR 500 V 58 A TO-264
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
7 203 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APL602LPB | Microchip Technology | MOSFET LINEAR 500 V 49 A TO-264
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
SI255N02UKL3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFETS,D
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN2992UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN31D5UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN2992UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN31D5UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
SI1K0N025UKW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFETS,S
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
SI1K5N06UKW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN31D5UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN2992UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN2992UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN31D5UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов