Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
860 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK7A1R0-100LJ | Nexperia USA Inc. | BUK7A1R0-100L/SOT8000A/CCPAK12
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
860 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK7T1R0-100LJ | Nexperia USA Inc. | BUK7T1R0-100L/SOT8005A/CCPAK12
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
871 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHK031N60AE-T1GE3 | Vishay Siliconix | AE SERIES POWER MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
875 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S4M0040120DA1 | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
875 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S4M0040120KA1 | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
876 руб.
Производитель: Luminus Devices Inc.
Количество на складе: 0
AMR065V065E2 | Luminus Devices Inc. | 650V 65MR, TO-247-3L, INDUSTRIAL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
879 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHG033N60SF-GE3 | Vishay Siliconix | SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
882 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3S0080120J | SMC Diode Solutions | 1200V,80MR,TO-263-&,SIC+SBD SIN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
885 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6077WNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 600V 77A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
901 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6086XNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 600V 86A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
910 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHL033N60SF-GE3 | Vishay Siliconix | SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
914 руб.
Производитель: Luminus Devices Inc.
Количество на складе: 0
AAR065V065E2 | Luminus Devices Inc. | 650V 65MR, TO-247-3L, AUTOMOTIVE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
941 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GP3T040A120U | SemiQ | GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
957 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GP3T034A120H | SemiQ | GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
963 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF1D0N10GN1TXG | onsemi | GAN FET 100V, 0.8M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
965 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHK075N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
999 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMTS1D1N04CETXG | onsemi | T6 40V SL EFK SINGLE NCH PQFN 8X
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 000 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC045SMB120B | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 044 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXP120A080SE-T1GE3 | Vishay Siliconix | 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 046 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
SCT4090KWATL | Rohm Semiconductor | 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 061 руб.
Производитель: Infineon Technologies Americas Corp.
Количество на складе: 0
AIMBG75R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies Americas Corp. | AIMBG75R060M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 082 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF2D2N15GN1TXG | onsemi | GAN FET 150V, 1.6M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 082 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF3D6N20GN1TXG | onsemi | GAN FET 200V, 2.9M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 097 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBT023N65GN1TXG | onsemi | GAN FET, 650V, 16M, TOLT
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов