Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
710 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF0D7N04GN1TXG | onsemi | GAN FET 40V, 0.5M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
712 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RJ1P10BATTL1 | Rohm Semiconductor | PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
716 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6055WNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 600V 55A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
728 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH81M2SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
745 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIEH3716EW-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOS
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
754 руб.
Производитель: EPC
Количество на складе: 0
EPC2370ENGRT | EPC | TRANS GAN 15V DIE,0.28 MOHM,5PIN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
757 руб.
Производитель: EPC
Количество на складе: 0
EPC2372ENGRT | EPC | TRANS GAN 25V DIE,0.37 MOHM,5PIN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
757 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
R6061XNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 600V 61A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
772 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C604NLWFET1G | onsemi | NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
775 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C4MS047120J2-TR | Wolfspeed, Inc. | 47MO GEN4 1200V SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
782 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIJK4810-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
782 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIJK4610-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
785 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC035-650TBHZ | Nexperia USA Inc. | GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
790 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
TK115V65Z5,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET 650 V 0.115 OHM DFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
799 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC016N08NM8SCATMA1 | Infineon Technologies | ISC016N08NM8SCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
799 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GP3T072A120H | SemiQ | GEN3 1200V 72M SIC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
803 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S1M0060065B | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 60MOHM,6
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
811 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC035-650UTHZ | Nexperia USA Inc. | GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
816 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBL035N65GN1TXG | onsemi | GAN FET, 650V, 27M, TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
816 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBT035N65GN1TXG | onsemi | GAN FET, 650V, 27M, TOLT
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
829 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH10H1M5STTWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
842 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
GANC035-650VSHQ | Nexperia USA Inc. | GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
854 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVBYST0D8N08XTXG | onsemi | POWERTRENCH T10 80V IN TCPAK1012
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
858 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHH075N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов