Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
242 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVTFS5C466NLWFETAG | onsemi | AFSM T6 40V LL U8FL WF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
246 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUCN04S7N010GATMA1 | Infineon Technologies | IAUCN04S7N010GATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
248 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC025N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | ISC025N08NM6ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
255 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR5404DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
255 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC034N08NM7ATMA1 | Infineon Technologies | ISC034N08NM7ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
255 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRS4400EPW-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
257 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
SPD18P06PGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
259 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ112EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100-V (D-S)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
259 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMJST006N08XTXG | onsemi | T10 80V SG TCPAK 5X7
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
264 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6043C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 330MOHM DPA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
268 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE010N04LM7CGATMA1 | Infineon Technologies | IFX FET 40V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
270 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H135G4PJSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 135MOHM GAN FET IN 5X6 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
270 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMJST004N08XTXG | onsemi | T10 80V SG TCPAK 5X7
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
270 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS4P063BPHZGTCB | Rohm Semiconductor | N-CHANNEL 100V 170A WIDE-SOA POW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
272 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ161ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
273 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H300G4LSGH-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
275 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C456NLET1G-YE | onsemi | T6 40V NCH LL IN S08FL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
276 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR580DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
280 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE010N04LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies | IFX FET 40V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
281 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR580LDP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
281 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTLEF0D7N04GN1TWG | onsemi | GAN FET 40V, 0.5M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
281 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTLEF2D5N10GN1TWG | onsemi | GAN FET 100V, 1.9M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
282 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT30D60BPB | Microchip Technology | FRED D 600 V 30 A TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIR532DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 30-V (D-S) 150C MOSFET
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов