Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 688 руб.
Производитель: GE Aerospace
Количество на складе: 0
GE1208309A1 | GE Aerospace | SiC MOSFET N-Channel 1200V 83A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 688 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT65R099KN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 928 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT1115BT | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 100V 373A 1.05m Toll
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 928 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT65R070GN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 650V 50A 0.07 To-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 025 руб.
Производитель: GE Aerospace
Количество на складе: 0
GE1211103A1 | GE Aerospace | SiC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 114 руб.
Производитель: Analog Power Inc.
Количество на складе: 0
AMIXFP60N25X3 | Analog Power Inc. | MOSFET N-CH 200V 90A TO220CFM
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 124 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M80120BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 80mOhm N-CHN TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 124 руб.
Производитель: NoMIS Power
Количество на складе: 0
N3PT065MP120K | NoMIS Power | 1200 V 65 mOhm SiC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 958 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT7138T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 150V 220A 3.4m Toll-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 249 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M160120BLT | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 160mOhm N-CHN T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 249 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M160120ELS | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 160mOhm N-CHN T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 688 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M70120JL0S | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 68mOhm N-CHN TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 982 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DIW170SIC750 | Diotec Semiconductor | SICFET N-CH 1700V 5A TO-247-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 375 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M40065BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 650V 40mOhm N-CHN TO-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 375 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M50120BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 50mOhm N-CHN TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 786 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT65R070T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 650V 45A 57m Toll-8
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 275 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M35120BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 1200V 33mOhm N-CHN TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 275 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M30065BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 650V 30mOhm N-CHN TO-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 750 руб.
Производитель: Cactus Materials Inc.
Количество на складе: 0
C080SCM33070B1 | Cactus Materials Inc. | SiC MOSFET 40A 3300V TO-247-4
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
20 124 руб.
Производитель: LGE Diodes
Количество на складе: 0
LGE3M45170BL0T | LGE Diodes | SIC MOSFET 1700V 45mOhm N-CHN TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
20 138 руб.
Производитель: Quest Semi
Количество на складе: 0
QS50SCM330X61 | Quest Semi | 3300v 50mohm SiC Mosfet
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
399 руб.
Производитель: Infineon Technologies Americas Corp.
Количество на складе: 0
ISC019N08NM7ATMA1 | Infineon Technologies Americas Corp. | ISC019N08NM7ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
78 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQA450CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
84 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK9Q12-40HJ | Nexperia USA Inc. | LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов