Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
701 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMTA65R075M2HXTMA1 | Infineon Technologies | IMTA65R075M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
702 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTBLS1D1N08XTXG | onsemi | MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
708 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMTH6M70SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI808
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
710 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHG080N65SF-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
712 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6027 | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
716 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RJ2P14BBHTRDC | Rohm Semiconductor | NCH 100V 225A, TOLL-9LSATAC, POW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
718 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHK110N65SF-T1GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
718 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC060SMB120SDT/RM | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
728 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | 650V, 85MOHM GAN FET IN TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
728 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C4MV060065T-TR | Wolfspeed, Inc. | 60M 650V SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
737 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMLT65R075M2HXTMA1 | Infineon Technologies | IMLT65R075M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
739 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0160120K | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 160MOHM,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
741 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPLT60R055CM8XTMA1 | Infineon Technologies | IPLT60R055CM8XTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
747 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHL080N65SF-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 600V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
753 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMT65R075M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
756 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2G10BBGC7G | Rohm Semiconductor | NCH 40V 205A, TO-220FP, POWER MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
759 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
ENGNTLEF2D5N10GN1TXG | onsemi | GAN FET 100V, 1.9M, 5X6 LGA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
759 руб.
Производитель: EPC
Количество на складе: 0
EPC2378 | EPC | 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
763 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C4MS065120U2-TR | Wolfspeed, Inc. | 65MO GEN4 1200V SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
763 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C4MS065120J2-TR | Wolfspeed, Inc. | 65MO GEN4 1200V SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
764 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2L10BBGC7G | Rohm Semiconductor | NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
770 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S2M0080120I | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
771 руб.
Производитель: STMicroelectronics
Количество на складе: 0
SGT080R70ILB | STMicroelectronics | GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
772 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUTN15S6N038GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V)
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов