Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
404 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
TK200V60Z1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
404 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ118E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
404 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2G07BBGC7G | Rohm Semiconductor | NCH 40V 100A, TO-220FP, POWER MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
405 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2L07BBGC7G | Rohm Semiconductor | NCH 60V 80A, TO-220FP, POWER MOS
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
406 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6015C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
410 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ118ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
411 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHB240N65E-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
413 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG540EGS4FRATCB | Rohm Semiconductor | PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
414 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RD3G08BBKHRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 40V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
416 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISCH92N04NM7VSCATMA1 | Infineon Technologies | ISCH92N04NM7VSCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
417 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2P06BBHC7G | Rohm Semiconductor | NCH 100V 65A, TO-220FP, POWER MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
423 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRS510DPW-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
425 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RX2R03BBHC7G | Rohm Semiconductor | NCH 150V 35A, TO-220FP, POWER MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
430 руб.
Производитель: STMicroelectronics
Количество на складе: 0
SGT240R70ILB | STMicroelectronics | 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
431 руб.
Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
Количество на складе: 0
TSM60NE285CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
431 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG040FGS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
432 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG184FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 40V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
432 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RD3G08BBLHRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 40V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
434 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUCN08S7L018ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V(
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
434 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RD3L08BBLHRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
434 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RD3L08BBKHRBTL | Rohm Semiconductor | NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
438 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ144AE-T1_JE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
440 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG050FPS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, P
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
442 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPF014N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPF014N10NM8ATMA1
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов