Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
89 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQ3469CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
91 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQ3461CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
92 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRA18BDP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
92 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DI050N04BPT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
96 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
XSM6K336NW,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
96 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQ2389CES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
96 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQA403CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
98 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
98 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK9Q50-100LJ | Nexperia USA Inc. | BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
100 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJW5P06A_R2_00701 | Panjit International Inc. | 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
104 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMN2013UFDEWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
104 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIA5213DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
104 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJQ5548S6-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
105 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJW5P06A-AU_R2_007A1 | Panjit International Inc. | 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
108 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MCG010N06YL-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
111 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMP4047LFDE-7-W | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
111 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJQ5546S6-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
113 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMT34M5LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
119 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
BUK6Q8R2-30PJ | Nexperia USA Inc. | BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
120 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
XSM6K361NW,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
120 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
FDMS7694-NC | onsemi | PT7 30V/20V NCH ER TREN M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
125 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MCU031N06Q-TP | MCC (Micro Commercial Components) | P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
125 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RV4L016SNHZGTCR1 | Rohm Semiconductor | NCH 60V 1.6A SMALL SIGNAL MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
126 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
XSM6K519NW,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов