Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
84 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQ3427CEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
37 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MCG052P10Y-TP | MCC (Micro Commercial Components) | P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
155 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUZN08S7L177ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V(
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
163 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUZN04S7L030ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
182 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RF7L120BJFRATCR | Rohm Semiconductor | PCH -60V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
212 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IGD70R500D2SAUMA1 | Infineon Technologies | GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
232 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVTFS5C466NLTAG | onsemi | AFSM T6 40V LL U8FL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
243 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IGD70R270D2SAUMA1 | Infineon Technologies | GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
257 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V(
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
277 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ141ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
287 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRF3205ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
323 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IGD70R140D2SAUMA1 | Infineon Technologies | GANFET N-CH 700V 10A T0252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
358 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC300N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | ISC300N20NM6ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
370 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
TPM1R908QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
438 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQM50061EL_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
439 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG140FGS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
608 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
720 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies | GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
723 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUTN08S7N007ATMA1 | Infineon Technologies | OPTIMOSTM 7 TOLL AUTOMOTIVE POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
816 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C4MS065120K | Wolfspeed, Inc. | 65MO GEN4 1200V SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
856 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUTN15S6N025ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
894 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMW65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies | IMW65R075M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
915 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMZA65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies | IMZA65R075M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
952 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов