- Описание
-
Обзор продукта:
TP65H070G4LSGBA-TR | Renesas Electronics Corporation | 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
Технические характеристики и спецификация:
650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
Single FETs, MOSFETs
Серия или данные по производителю : GaNFET (Gallium Nitride)
Хар-ка 1 : 650 V
Хар-ка 2 : 29A (Tc)
Сроки поставки: 5-8 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикулы по каталогу производителя:
TP65H070G4LSGBA-TR - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

