- Описание
-
Обзор продукта:
DMWSH170H850HM4Q | Diodes Incorporated | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Технические характеристики и спецификация:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Single FETs, MOSFETs
Серия или данные по производителю : N-Channel
Хар-ка 1 : SiCFET (Silicon Carbide)
Хар-ка 2 : 1700 V
Сроки поставки: 5-8 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикулы по каталогу производителя:
DMWSH170H850HM4Q - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

