- Описание
-
Обзор продукта:
IGC016K10S2XTMA1 | Infineon Technologies | MV GAN DISCRETES
Технические характеристики и спецификация:
MV GAN DISCRETES
Single FETs, MOSFETs
Серия или данные по производителю : GaNFET (Gallium Nitride)
Хар-ка 1 : 100 V
Хар-ка 2 : 29A (Ta), 108A (Tc)
Сроки поставки: 5-8 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикулы по каталогу производителя:
IGC016K10S2XTMA1 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

