- Описание
-
Описание:
K4B4G1646E-BCNB | Samsung | Память DDR3 SDRAM 4 Гбит
Технические характеристики: K4B4G1646E-BCNB
Высокопроизводительная микросхема оперативной памяти K4B4G1646E-BCNB производства Samsung Electronics представляет собой DDR3 SDRAM память объемом 4 Гбит с организацией 256M × 16 бит. Устройство относится к семейству Samsung DDR3 E-die, поддерживает скорость передачи данных до 2133 Мбит/с на вывод и выполнено в корпусе 96-ball FBGA. Память предназначена для применения в промышленных вычислительных системах, сетевом оборудовании, встраиваемых устройствах и другой электронной аппаратуре.
Производитель: Samsung
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
K4B4G1646E-BCNB
Технические данные:
Параметр Значение Тип памяти DDR3 SDRAM Объем памяти 4 Гбит (512 МБ) Организация памяти 256M × 16 бит Серия E-die Интерфейс DDR3 SDRAM Скорость передачи данных До 2133 Мбит/с Частота тактирования До 1066 МГц Тайминги DDR3-2133 (14-14-14) Напряжение питания VDD 1,5 В Напряжение ввода/вывода VDDQ 1,5 В Количество банков 8 Предвыборка 8n Prefetch Длина пакета Burst BL8 / BC4 Корпус FBGA-96 Организация выводов x16 Монтаж SMD Рабочая температура 0…+85 °C Соответствие RoHS Применение:
- Промышленные компьютеры
- Встраиваемые системы
- Сетевое оборудование
- Коммуникационные устройства
- Системы на базе FPGA и процессоров
- Автоматизированные контроллеры
- Высокопроизводительные вычислительные модули
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
Работаем с 8.30 - до 17.30
| 0 Товаров | - | 0 руб. |
| Отложенные товары | ||
| Итоговая сумма: | 2 789 руб. |
| В корзину | |
