CLF1G0035-100P | Ampleon | Транзистор

Описание:

CLF1G0035-100P | Ampleon | Транзистор

Технические характеристики: CLF1G0035-100P

Широкополосный нитрид-галлиевый транзистор высокой подвижности электронов (GaN HEMT) мощностью 100 Вт от компании Ampleon

Производитель: Ampleon .

Сроки поставки: 5-9 недель

Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками

Артикулы Ampleon по каталогу и аналогом:

CLF1G0035-100P

Технические данные:

• Технология: GaN HEMT первого поколения (на подложке SiC).
• Выходная мощность P: 100 Вт (50 dBm).
• Рабочее напряжение питания V: 50 В.
• Максимальное напряжение сток-исток DS,max: 150 В.
• Коэффициент усиления по мощности G: 10.3 – 12.5 дБ.
• КПД стока: 43% – 49% (типичный около 49%).
• Ток покоя I: 330 мА.
• Устойчивость к рассогласованию нагрузки: коэффициент КСВН (VSWR) 10:1.
• Тип корпуса: SOT1228A (фланцевый, с ушками для крепления, керамический).