FGH60N60SMD | onsemi | IGBT транзистор 600V 60A

Описание:

FGH60N60SMD | onsemi | IGBT транзистор 600V 60A

Технические характеристики: FGH60N60SMD

IGBT транзистор ON Semiconductor (onsemi) с полевым стоп-слоем (Field Stop). Предназначен для силовой электроники, включая инверторы, источники питания, сварочное оборудование и промышленные преобразователи энергии. Обеспечивает низкие потери проводимости и высокую скорость переключения.

Производитель: ONSEMI

Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.

Артикул по производителю:

FGH60N60SMD

Технические данные:

• Тип: IGBT транзистор (Field Stop)
• Коллектор-эмиттер напряжение: 600 V
• Номинальный ток коллектора: 60 A (100°C)
• Пиковый ток: до 120 A
• Рассеиваемая мощность: до 600 W
• Vce(sat): ~1.9 V
• Температура перехода: -55…+175 °C
• Корпус: TO-247-3
• Тип монтажа: Through-hole
• Заряд затвора: ~189 nC
• Время переключения: быстрый (fast switching IGBT)

Применение:

• Сварочные аппараты
• Инверторы
• Источники питания (SMPS, UPS)
• Солнечные инверторы
• Промышленные приводы