DE475-102N21ARF | IXYS | Транзистор

DE475-102N21A — это мощный радиочастотный (RF) полевой транзистор с N-каналом и режимом обогащения, производимый компанией IXYS RF.

Основные технические характеристики:

• Тип: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSSV_{DSS}VDSS​): 1000 В.
• Постоянный ток стока (IDI_DID​): до 24 А.
• Рассеиваемая мощность (PdP_dPd​): 1800 Вт (1,8 кВт).
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​): около 410 мОм (при тестовом напряжении затвор-исток VGS=15V_{GS} = 15VGS​=15 В).
• Входная емкость (CissC_{iss}Ciss​): типичное значение составляет 5500 пФ.
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​): около 5,5 В.
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS(max)V_{GS(max)}VGS(max)​): ±20 В.
• Максимальная рабочая частота: до 30 МГц.
• Время нарастания сигнала: около 5 нс.
• Корпус: DE-475 (6 выводов, плоский корпус с открытой теплоотводящей площадкой).

Особенности конструкции и применения: Транзистор разработан для работы в жестких условиях благодаря низкому заряду затвора (QgQ_gQg​) и низкому сопротивлению затвора (RgR_gRg​). Это обеспечивает высокую скорость переключения на наносекундном уровне и способность выдерживать высокие значения скорости нарастания напряжения ($dv/dt$). Конструкция корпуса исключает использование токсичных материалов, таких как оксид бериллия (BeO), что упрощает монтаж и повышает экологичность компонента.

Благодаря высокой мощности, напряжению пробоя и отличным тепловым характеристикам, компонент идеально подходит для следующих задач:

• Драйверы лазеров;
• Установки индукционного нагрева;
• Импульсные источники питания (SMPS);
• Промышленные коммутационные устройства;
• Усилители мощности класса C, E или F;
• Медицинское оборудование (например, МРТ или диатермия);
• Системы ультразвуковой очистки.

Варианты написания маркировки: DE475102N21A, DE475 102N21A.